nLIGHT | 高功率半导体激光器和光纤 - 单管半导体激光器 (可见光)

HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASERS AND FIBERS

单管半导体激光器 (可见光)

利用nXLT™技术，nLIGHT的可见光单管半导体激光器波长从639 nm到690 nm，150 µm的发光条宽加上低光束发散，使得这种激光器在功率水平从0.5 W至1.5 W的各类应用中具有无与伦比的高亮度与可靠性。

我们的可见光单管半导体激光器包括c-mount和HHL两种封装方式，有各种透镜压缩可供选择，以满足您的具体需要。

产品形象

		C-0.75-0639	C-1.5-0665	C-1.5-0680	C-1.5-0690
光学性能
中心波长	nm	639	665	680	690
连续输出功率	W	0.75	1.5	1.5	1.5
中心波长偏差	nm	± 4	± 5	± 5	± 5
发光区尺寸	μm	150	150	150	150
光谱宽度 (FWHM)	nm	< 3	< 3	< 3	< 3
斜率效率	W / A	> 1	> 1	> 1	> 1
偏振	TM 或 TE	TM	TE	TE	TE
快轴发散角	°	42°	43°	43°	43°
慢轴发散角	°	10°	10°	10°	10°
波长温度系数¹	nm / °C	0.15	0.15	0.15	0.15
电学性能
总转换效率	%	20	25	25	25
阈值电流 (I_TH)	mA	700	660	668	680
工作电流 (I_OP)	mA	1500	1900	1900	1900
工作电压 (V_OP)	V	2.2	2.08	2.08	2.08
串联电阻 (R_S)	Ω	0.15	0.1	0.1	0.1
机械性能
铅焊温度 (C-mount)	°C	150 (< 5 sec)	150 (< 5 sec)	150 (< 5 sec)	150 (< 5 sec)
铅焊温度 (HHL)	°C	250 (< 5 sec)	250 (< 5 sec)	250 (< 5 sec)	250 (< 5 sec)
热学性能
热阻²	°C / W	10	10	10	10
工作温度 (C-mount)³	°C	-20 - +30	-20 - +30	-20 - +30	-20 - +30
工作温度(HHL)³	°C	-20 - +50	-20 - +50	-20 - +50	-20 - +50
存储温度³	°C	-20 - +80	-20 - +80	-20 - +80	-20 - +80
热电制冷器 (只对HHL)
驱动电流(典型值)	A	1.7	1.7	1.7	1.7
驱动电压 (典型值)	V	3.5	3.5	3.5	3.5
热敏电阻 (25 °C)	kΩ	10	10	10	10
监控二极管 (只对HHL)
灵敏度	µA/mW	1 - 10	1 - 10	1 - 10	1 - 10
电容	pF	6	6	6	6
击穿电压	V	25	25	25	25
工作电压	V	10	10	10	10

¹	波长温度系数指二极管结处温度每变化一度时波长的漂移。
²	热阻是每增加1 W功率时二极管结处温度的漂移。
³	存储和工作时需要低于结露点的非冷凝环境。

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