美国华盛顿州温哥华市 2009年3月16日– nLIGHT公司（nLIGHT）今天宣布推出新的高掺杂抗photodarkening掺镱光纤，这种光纤在920 nm处的吸收高达60％，泵转换效率通常超过75％。

        2005年， nLIGHT的光纤分公司－原LIEKKI公司，是第一个利用其专有的直接纳米粒子沉积（DND）光纤生产技术有效地测量和减轻photodarkening的有源光纤制造商。这方面的努力近几年有增无减，新的光纤设计和工艺进一步减轻了photodarkening的不利影响。

        nLIGHT提供的大模场面积（LMA）、低数值孔径（NA）的掺镱光纤，今天展示了在加速应力测试条件下损耗降低了五分之四。LMA、高数值孔径光纤的损耗甚至低于的加速试验的测量能力。而且这些新掺镱光纤在920 nm处的吸收高达60％以上，泵转换效率通常超过75％。
        新的抗photodarkening LIEKKITM掺镱光纤，纤芯/包层几何尺寸范围从7/125 µm 到30/250 µm，有非保偏和保偏两种。